化學(xué)氣相沉積法（CVD）常用來製備大面積大尺寸二硫化鎢（WS2）薄膜，但是利用該方法生産的WS2單分子層的可控生長較爲(wèi)困難。因此，下面將大家介紹一種二硫化鎢薄膜的新生産方法。其具體步驟如下：
（1）取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之後將裝有WS2源的石英舟放入電爐中的石英管（直徑1英寸）內(nèi)。
（2）將基底（尺寸爲(wèi)2.5～3.5cm×1.5～2.0cm），用去離子水清洗後氮?dú)獯祹?，放入石英管中，位置在載氣流向下游方向距石英舟20～25cm處。
（3）向石英舟內(nèi)加入1～5ml去離子水。
（4）開啓機(jī)械泵抽真空，同時(shí)向石英管中輸入載氣氬氫混合氣（5%H2），載氣流量爲(wèi)300sccm，抽氣2～4min後，關(guān)閉機(jī)械泵停止抽真空，幷同時(shí)關(guān)閉載氣氣流停止輸入載氣。
（5）將石英管升溫至700～1200℃，升溫速率爲(wèi)20～30℃/min。溫度升至700～1200℃後保溫，保溫時(shí)間爲(wèi)2～180min。
步驟(6).石英管停止加熱，將石英管冷卻到常溫，冷卻速率爲(wèi)20～100℃/min，然後取出基底，在基底上獲得二硫化鎢薄膜。
該生産方法的注意事項(xiàng)如下：
1）步驟（1）所述WS2爲(wèi)WS2固體粉末、氧化鎢和硫或金屬鎢和硫磺。
2）步驟（2）所述基底爲(wèi)表面生長有氧化層的矽片（SiO2/Si）、石英玻璃、氮化鎵或藍(lán)寶石。
總的來說，該方法以WS2固態(tài)粉末爲(wèi)硫源和鎢源，表面生長有氧化層的矽片爲(wèi)基底，水蒸汽爲(wèi)礦化劑，采用CVD法在基底表面生長WS2二維薄膜材料。該産品的製備重複性好、薄膜厚度可控、結(jié)晶度高。
