單層二硒化鎢憑藉著獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，廣泛應(yīng)用于電子器件、光伏設(shè)備等領(lǐng)域中。然而，生産它卻十分困難，如常用的化學(xué)沉積（CVD）法存在氧化鎢和硒源難以蒸發(fā)的問(wèn)題。爲(wèi)了解決上述的不足，有研究者對(duì)傳統(tǒng)的CVD方法進(jìn)行了改進(jìn)，具體步驟如下：
（1）選取兩片襯底，幷采用標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗工藝對(duì)其進(jìn)行清洗，選取兩隻石英舟分別作爲(wèi)鎢舟和硒舟；
（2）將1-100mg的NaCl溶于5mL去離子水中製成鹽溶液，將2-20μL的鹽溶液滴在第一片襯底前端，再在熱板上加熱至去離子水完全氣化；
（3）在第一片襯底中心盛放3-300mg的WO3後，將其置于鎢舟中，把第二片襯底蓋在WO3上方的1mm-10mm位置，再將鎢舟置于管式爐高溫區(qū)，隨後在硒舟中加入10-500mg的硒粉，幷將硒舟置于管式爐低溫區(qū)；
（4）將高溫區(qū)升溫至100-150℃，使用100-1000sccm流量的氬氣吹掃反應(yīng)腔體15分鐘到2小時(shí)；
（5）將氬氣流量調(diào)節(jié)至10sccm-200sccm，同時(shí)使高溫區(qū)迅速升溫至300-700℃；
（6）降低升溫速率，在高溫區(qū)溫度達(dá)到600-850℃時(shí)，對(duì)低溫區(qū)獨(dú)立加熱，使其中的Se融化幷與WO3反應(yīng)3-60分鐘；
（7）自然降溫，待溫度降至100℃以下，將樣品取出密封，即完成單層二硒化鎢單晶的製備。
該生産方法的優(yōu)勢(shì)在于：1）減少了反應(yīng)條件，增加了系統(tǒng)的安全性，即不使用氫氣；2）使用NaCl的使用，消除了WO3原材料中毒反應(yīng)的可能，同時(shí)采用移液槍精確控制NaCl加入量的方法；3）獨(dú)立控溫區(qū)的使用，能夠精確控制WSe2形核和生長(zhǎng)過(guò)程。
