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高純鎢鈦靶材的新製備方法

作爲(wèi)集成電路中重要的擴散阻擋層,鎢鈦(W-Ti)薄膜雖然有較高的密度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,但因爲(wèi)鎢鈦靶材存有污染物粒子,所以薄膜欠佳。爲(wèi)了降低靶材的污染物,研究者提出了一種高純鎢鈦靶材的新製備方法,具體步驟如下:

高純鎢鈦靶材的新製備方法圖片

(1)將80?90wt%高純鎢粉、10wt%高純鈦粉以及0?10wt%高純添加劑金屬粉,按重量比稱量,然後放置于球磨罐中,球磨混勻,得到混合粉體;
(2)分別稱取一定量步驟(1)所得到的混合粉體,裝入一定尺寸規(guī)格的石墨模具中,將石墨模具放置于熱壓爐內(nèi),後抽真空,升溫,溫度達(dá)到500?700°C,保溫30min,體系真空度保持在100Pa左右,不加壓;
(3)隨後升溫,幷在升溫過程中充氬氣,同時開始不斷加壓,當(dāng)溫度升至1200?1450°C間,壓力達(dá)到10?30MPa,開始保溫保壓,保溫保壓1?2小時後,關(guān)閉加熱電源開始降溫,等溫度降至900?IOO°C,逐漸緩慢泄壓,至常壓;
(4)等熱壓爐完全冷卻後,取出得到鎢鈦合金靶材坯料,後進行機械和電加工,再清洗,烘乾,得到高純鎢鈦合金靶材。

高純鎢鈦靶材的新製備方法圖片

該生産方法的注意事項有:1)步驟(1)中高純鎢粉和高純鈦粉的純度大于或等于99.99%,高純添加劑金屬粉如鈮粉、鉬粉等的純度大于或等于99.9%。2)步驟(1)中高純鎢粉的平均粒度爲(wèi)3?5um,高純鈦粉的平均粒度爲(wèi)38?42um,高純添加劑金屬粉的粒度爲(wèi)3?15um。3)步驟(4)的機械加工爲(wèi)磨削,電加工爲(wèi)綫切割;清洗爲(wèi)將靶材放入含有清洗劑的純淨(jìng)水中,進行超聲清洗,清洗1?2小時後,換純淨(jìng)水再次進行超聲清洗1?2小時;洗淨(jìng)後將靶材放入真空乾燥箱內(nèi)烘乾,最後得到鍍膜用的靶材。

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