二碲化鎢（Tungsten ditelluride，WTe2）是過渡金屬鎢的一種重要化合物，除了具有良好的超導(dǎo)性、熱電性、催化性和熱化學(xué)穩(wěn)定性之外，還具有極爲(wèi)出色的巨磁阻效應(yīng)。
存儲(chǔ)器
巨磁阻效應(yīng)是一種量子力學(xué)和凝聚態(tài)物理學(xué)現(xiàn)象，是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象，它産生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。磁性薄膜結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成，電阻值與鐵磁性材料薄膜層的磁化方向有關(guān)，當(dāng)兩層磁性材料磁化方向相反時(shí)電阻值明顯大于磁化方向相同時(shí)的電阻值。
研究表明，在低溫下極端大型磁電阻的分層WTe2，在14.7T的磁場(chǎng)會(huì)産生4257倍的電阻，在60T的磁場(chǎng)會(huì)産生13000倍的電阻。半金屬WTe2之所以具有很高的磁阻是因爲(wèi)它有一個(gè)平衡電子空穴的共振條件。
二碲化鎢結(jié)構(gòu)圖
從結(jié)構(gòu)上來看，二碲化鎢材料與二硫化鎢材料一樣都是層狀結(jié)構(gòu)，即層與層之間是靠范德華力的互相作用來耦合的，而層內(nèi)是鎢原子與碲原子則以共價(jià)鍵的方式進(jìn)行結(jié)合。
具有巨磁阻效應(yīng)的二碲化鎢薄膜的製備方法：將裝有氟晶雲(yún)母基片的真空腔室抽真空，幷將氟晶雲(yún)母基片加熱到300℃左右；在該生長(zhǎng)條件下，采用KrF準(zhǔn)分子激光器將激光通過透鏡聚焦到碲化鎢靶材上，沉積時(shí)間根據(jù)選擇厚度而決定；待WTe2薄膜生長(zhǎng)完成後，基片溫度保持不變，進(jìn)行原位退火，冷卻至室溫即可。來源專利號(hào)爲(wèi)CN106784303A的專利。
