在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中，每一次微小的進(jìn)步都可能引發(fā)行業(yè)內(nèi)的巨大變革。據(jù)瞭解，三星公司在其第9代V-NAND技術(shù)上進(jìn)行突破性嘗試——引入鉬（Mo）作為金屬佈線材料。這一創(chuàng)新不僅預(yù)示著NAND快閃記憶體層高有望實(shí)現(xiàn)30%至40%的進(jìn)一步縮減，更將顯著降低回應(yīng)時(shí)間。
三星手機(jī)圖片
在半導(dǎo)體製造這一精密而複雜的領(lǐng)域中，金屬佈線猶如電路中的血脈，將數(shù)十億個(gè)電子元器件緊密相連，賦予半導(dǎo)體產(chǎn)品以生命。無論是CPU、GPU還是其他各類晶片，金屬佈線都是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。因此，尋找更加高效、穩(wěn)定的金屬佈線材料，一直是半導(dǎo)體行業(yè)不斷探索的課題。
六氟化鎢（WF6）目前是半導(dǎo)體金屬佈線的重要材料之一。據(jù)中鎢線上瞭解，六氟化鎢是一種無色無味的氣體或淺黃色液體，它經(jīng)過化學(xué)氣相沉積工藝後能形成金屬鎢，再將金屬鎢製成二矽化鎢（WSi2），以作為半導(dǎo)體的配線材料。
為了提高半導(dǎo)體的性能，三星此次選擇鉬材料作為金屬佈線的革新嘗試，無疑是一次大膽的探索。鉬的高熔點(diǎn)、高密度、良好導(dǎo)電導(dǎo)熱性和化學(xué)穩(wěn)定性，使其成為提升NAND快閃記憶體性能的理想選擇，允許在NAND中堆疊更多層。然而，鉬材料的引入比較困難，它要求生產(chǎn)設(shè)備能夠進(jìn)行耐高溫處理，將固態(tài)鉬原材料加熱至600℃以上，並轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，這與金屬佈線廣泛使用的六氟化鎢處理方式截然不同。
鉬元素圖片
據(jù)消息人士稱，三星已從Lam Research公司引入了首批5臺(tái)Mo沉積機(jī)，並規(guī)劃在明年再增購20臺(tái)，以加速其鉬基NAND的生產(chǎn)佈局。
供應(yīng)鏈方面，三星正與多家領(lǐng)先供應(yīng)商緊密合作，包括英特格（Entegris）和Air Liquide，以確保穩(wěn)定的鉬源供應(yīng)。同時(shí)，默克等公司也積極回應(yīng)，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了行業(yè)對新技術(shù)路徑的廣泛支援與期待。
此外，SK海力士、美光和 鎧俠等公司也紛紛跟進(jìn)，探索在NAND生產(chǎn)中採用鉬材料的可行性，共同推動(dòng)半導(dǎo)體材料的革新進(jìn)程。
據(jù)悉，今年5月，三星已經(jīng)啟動(dòng)了首批第九代V-NAND快閃記憶體量產(chǎn)，位元密度比第八代V-NAND提高了約50%。第九代V-NAND配備了下一代NAND快閃記憶體介面“Toggle 5.1”，可將資料登錄 / 輸出速度提高 33%，最高可達(dá)每秒 3.2 十億位元（Gbps）。除了這個(gè)新介面，三星還計(jì)畫通過擴(kuò)大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬碟市場的地位。
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