二維材料因其獨(dú)特的原子厚度2D層狀結(jié)構(gòu)以及光電屬性而備受關(guān)注，其中最具有代表性的是過渡金屬硫族化合物（TMDCs），包括二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）、二硒化鉬（MoSe2）、二硒化鎢（WSe2）等，因其具備最早發(fā)現(xiàn)的二維材料——石墨烯所不具備的可見光帶隙特性，對(duì)未來光電器件發(fā)展具有重要的研究意義。
二維材料原子層與層之間的作用力是可以輕易被打破的范德華力，因此在更輕便的光電設(shè)備研究中，常常使用打破層間范德華力束縛的厚度較薄的少層二維材料。少層二硫化鉬是TMDCs家族中研究最為廣泛的二維材料之一，2H相是其最穩(wěn)定存在的一種形態(tài)。
近日，中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院研究人員利用氯化鋰作為插層劑，成功建立等離子體液相製備二維材料的新方法。該辦法不僅可以快速剝離石墨紙，還可以拓展至製備高品質(zhì)少層2H相二硫化鉬。研究成果發(fā)表在《中國科學(xué)：材料科學(xué)》（Science China Materials）上。
和傳統(tǒng)的插層劑輔助電化學(xué)方法相比，插層劑輔助等離子體液相技術(shù)剝離的產(chǎn)物缺陷少且不會(huì)引入額外的基團(tuán)，能夠可控地剝離或者製備高品質(zhì)二維材料，進(jìn)一步推進(jìn)二維材料在光電等領(lǐng)域中的靈活應(yīng)用，助力光學(xué)電子器件不斷向超薄輕量化發(fā)展。
少層二硫化鉬是典型的半導(dǎo)體材料，也可實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)轉(zhuǎn)變，擁有石墨烯無法企及的電子特性，在電子通信、生物醫(yī)藥、柔性製造、能量能源等領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景，如電晶體、感測(cè)器、柔性屏、記憶體等等。
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