目前，由於矽基的記憶體件已經(jīng)基本達(dá)到了理論上的極限，所以對(duì)於新型的能夠滿足未來(lái)微納器件製作的半導(dǎo)體材料的探究迫在眉睫。而基於二硫化鉬（MoS2）的鐵電記憶體理論上開關(guān)比能夠達(dá)到10^8，電子遷移率達(dá)到數(shù)百，這使得它在未來(lái)的電子器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。然而，低的接觸電阻使MoS2金屬介面的肖特基勢(shì)壘較低，從而限制了MoS2作為鐵電記憶體溝道材料的應(yīng)用。
為了彌補(bǔ)上述的不足，本文將為大家介紹一種基於石墨烯電極的層狀二硫化鉬鐵電記憶體。該記憶體有器件尺寸小、載流子遷移率高、開關(guān)電流比大、器件功耗少、抗疲勞和保持性能強(qiáng)的特點(diǎn)。其製作方法如下：
該記憶體包括柵電極、鐵電絕緣層、MoS2溝道層、石墨烯源電極和石墨烯漏電極，所述柵電極上設(shè)置有鐵電絕緣層，所述鐵電絕緣層上設(shè)置有MoS2溝道層，所述二硫化鉬溝道層上設(shè)置有石墨烯源電極和石墨烯漏電極。
該生產(chǎn)方法的注意事項(xiàng)如下：
（1）柵電極是薄膜電晶體的第一層，材料為n型重?fù)诫s矽片，這樣既可以作為整個(gè)器件的基底，又能作為柵電極，並且與大型積體電路相相容層。
（2）鐵電絕緣層是鐵電記憶體的第二層，材料為鐵酸鉍。其既作為整個(gè)器件的絕緣層，有效阻止電流從上往下洩漏；又作為非揮發(fā)性記憶體的有效存儲(chǔ)調(diào)控層，根據(jù)鐵電絕緣層極化的電滯回線調(diào)控溝道載流子而產(chǎn)生存儲(chǔ)效果。
（3）MoS2形溝道層是鐵電記憶體的第三層，作用是提供溝道載流子，通過電場(chǎng)和鐵酸鉍鐵電絕緣層的共同調(diào)控而得到存儲(chǔ)資訊。
（4）石墨烯是作為鐵電記憶體的第四層和第五層導(dǎo)電源電極和漏電極。
