羅姆開發(fā)出世界首次實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC(Silicon carbide：碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。
本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓(VF)降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)。
生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續(xù)量產(chǎn)。
現(xiàn)在，在1200V級(jí)別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的 SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化(導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升/耐性劣化)和柵氧化膜 故障等可靠性方面的課題較多，之前無法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。
此次，羅姆通過改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。
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