氮化碳半導體因有環(huán)保、無毒、穩(wěn)定性良好等特點而成為近些年來備受可見光催化材料。但是單純氮化碳的比表面積較小，禁帶寬度較大，光生電子-空穴對的復合率較高，進而不能有效利用太陽光，這大大限制了其光催化效率的提高和在光催化領域的發(fā)展。為了進一步提高氮化碳的光催化活性，研究者便使用了氧空位氧化鎢對它進行改性，以有效增多產(chǎn)品的活性位點。下面，我們一起來了解一下氧空位氧化鎢復合光催化劑的生產(chǎn)方法。
一種氧空位氧化鎢/氮化碳（WO2.72/C3N4）復合光催化劑的生產(chǎn)方法的具體步驟：
（1）將氮化碳粉末置于鹽酸溶液中進行質子化處理，持續(xù)攪拌后過濾、洗滌、烘干；
（2）將質子化處理的氮化碳粉末分散于無水乙醇或水中進行超聲處理，然后加入六氯化鎢進行水熱反應；
（3）收集水熱反應的產(chǎn)物并水洗、烘干、研磨，即得所述氧空位氧化鎢/氮化碳復合光催化劑。
該制造方法的注意事項如下：1）步驟（1）所述鹽酸溶液的濃度為5～8mol/L；持續(xù)攪拌時間為24小時以上。2）步驟（2）中所述水熱反應的溫度為180～220℃，反應時間為10～15h；超聲處理時間為10～60min；所述氮化碳和六氯化鎢的質量比為1：0.398～3.965；3）步驟（3）中所述烘干為在真空干燥箱中于60℃條件下烘5～12小時直至干燥。
該制造方法的優(yōu)勢如下：工藝簡單，可重復率高，對實驗儀器設備沒有太高的要求。另外，氧空位氧化鎢/氮化碳復合光催化劑具有較大的禁帶寬度，對太陽光有較寬的響應范圍。
