半導(dǎo)體存儲(chǔ)器之所以選用納米氧化鎢材料來(lái)生產(chǎn)儲(chǔ)存介質(zhì)，是因?yàn)樗且环N非常重要的半導(dǎo)體材料，具有良好的電化學(xué)性能，并且在電場(chǎng)作用下其電阻值能發(fā)生可逆轉(zhuǎn)變。下面，我們一起來(lái)了解一下基于氧化鎢存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)裝置的制造方法。
制造方法（一）
存儲(chǔ)裝置包括插塞，插塞從基板的頂表面向上延伸穿過(guò)一介電層；底電極，底電極的外表面具有鎢，底電極從插塞的頂表面向上延伸；絕緣材料，絕緣材料環(huán)繞底電極并且與底電極的外表面的鎢接觸；存儲(chǔ)元件，位于底電極的上表面，存儲(chǔ)元件包括一氧化鎢化合物，且存儲(chǔ)元件可編程為至少兩種電阻態(tài)；以及頂電極，頂電極上覆并接觸存儲(chǔ)元件。另外，插塞具有第一側(cè)向尺寸，底電極具有側(cè)向尺寸，側(cè)向尺寸平行于插塞的第一側(cè)向尺寸，且側(cè)向尺寸小于插塞的第一側(cè)向尺寸。
制造方法（二）
鎢氧化物存儲(chǔ)部是使用非關(guān)鍵掩膜氧化鎢材料形成，或者在部分實(shí)施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存儲(chǔ)器裝置包括底電極及存儲(chǔ)器元件，且存儲(chǔ)器元件位于底電極上。存儲(chǔ)器元件包括鎢氧化合物且其有兩種以上的電阻狀態(tài)；上電極包括阻隔材料，位于存儲(chǔ)器元件上，且此阻隔材料的目的是為了避免金屬離子從上電極移動(dòng)到存儲(chǔ)器中。
相對(duì)于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體儲(chǔ)存器來(lái)說(shuō)，氧化鎢存儲(chǔ)元件擁有更好的響應(yīng)性能。
