作為集成電路中重要的擴散阻擋層，鎢鈦（W-Ti）薄膜雖然有較高的密度和良好的化學穩(wěn)定性，但因為鎢鈦靶材存有污染物粒子，所以薄膜欠佳。為了降低靶材的污染物，研究者提出了一種高純鎢鈦靶材的新制備方法，具體步驟如下：
（1）將80?90wt%高純鎢粉、10wt%高純鈦粉以及0?10wt%高純添加劑金屬粉，按重量比稱量，然后放置于球磨罐中，球磨混勻，得到混合粉體；
（2）分別稱取一定量步驟（1）所得到的混合粉體，裝入一定尺寸規(guī)格的石墨模具中，將石墨模具放置于熱壓爐內，后抽真空，升溫，溫度達到500?700°C，保溫30min，體系真空度保持在100Pa左右，不加壓；
（3）隨后升溫，并在升溫過程中充氬氣，同時開始不斷加壓，當溫度升至1200?1450°C間，壓力達到10?30MPa，開始保溫保壓，保溫保壓1?2小時后，關閉加熱電源開始降溫，等溫度降至900?IOO°C，逐漸緩慢泄壓，至常壓；
（4）等熱壓爐完全冷卻后，取出得到鎢鈦合金靶材坯料，后進行機械和電加工，再清洗，烘干，得到高純鎢鈦合金靶材。
該生產方法的注意事項有：1）步驟（1）中高純鎢粉和高純鈦粉的純度大于或等于99.99%，高純添加劑金屬粉如鈮粉、鉬粉等的純度大于或等于99.9%。2）步驟（1）中高純鎢粉的平均粒度為3?5um，高純鈦粉的平均粒度為38?42um，高純添加劑金屬粉的粒度為3?15um。3）步驟（4）的機械加工為磨削，電加工為線切割；清洗為將靶材放入含有清洗劑的純凈水中，進行超聲清洗，清洗1?2小時后，換純凈水再次進行超聲清洗1?2小時；洗凈后將靶材放入真空干燥箱內烘干，最后得到鍍膜用的靶材。
