セシウムタングステン青銅は、新しい環(huán)境保護(hù)近赤外吸収膜の製造に使用することができる。では、セシウムタングステン青銅を機(jī)能材料として使用して近赤外吸収膜を作製する方法を知っていますか。
詳細(xì)については、次のサイトを參照してください。
http://www.tungsten-oxide.com/japanese/index.html
これまで、セシウムタングステン青銅ナノ粒子は、固體、水熱、水制御放出溶媒熱及び熱プラズマ合成法により合成されてきた。これらの方法の中で、固體合成方法は工業(yè)規(guī)模でナノ粒子サイズのセシウムタングステン青銅を生産するために広く用いられている。しかしながら、この方法は、H 2／N 2雰囲気下（例えば、約550°Cで1時(shí)間加熱）、N 2雰囲気下（例えば、約800°Cで1時(shí)間）、及び機(jī)械的研磨（例えば、6時(shí)間）を含む多くの複雑なマルチステップに関する。また、研磨工程中に発生する汚染も深刻な問(wèn)題となっている。そのため、私たちは準(zhǔn)備の過(guò)程でこれらの問(wèn)題に注意しなければならない。
