スマート窓用のモリブデン添加酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜は、酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜よりも高い光変調(diào)範(fàn)囲を有する。ご存知のように、酸化タングステンの光學(xué)バンドギャップは約3 eVであるため、ワイドバンドギャップ半導(dǎo)體である。また、非理想的な割合の化合物を形成しやすい。しかし、なぜモリブデンドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜の光変調(diào)範(fàn)囲は非ドープ酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜より高いのだろうか。
詳細(xì)については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
これはタングステンイオンの結(jié)晶粒徑がモリブデンイオンに近いためである。モリブデン添加酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜中のタングステンイオンとモリブデンイオンの電子移動(dòng)は、より高いエネルギー吸収をもたらす。したがって、モリブデン添加酸化タングステン薄膜の吸収帯域は酸化タングステンエレクトロクロミック薄膜の吸収帯域より広い。したがって、酸化タングステン?酸化モリブデン複合エレクトロクロミック薄膜は、より高い光変調(diào)範(fàn)囲を有する。
