三酸化タングステンはエレクトロクロミック材料であり、真空共蒸発法、マグネトロンスパッタリング法、真空電子ビーム蒸発法、化學(xué)めっき法、陽(yáng)極酸化法、化學(xué)蒸著法及びゾル?ゲル法により製造することができ、窓型エレクトロクロミック裝置の製造に用いることができる。
詳細(xì)については、
http://www.tungsten-powder.com/japanese/tungsten-oxide.html
窓型エレクトロクロミック素子は、単層エレクトロクロミック裝置と二層エレクトロクロミック素子の2種類に分けることができる。単一のエレクトロクロミックデバイスとは、エレクトロクロミック材料のみを含むエレクトロクロミックデバイスであり、以下の基本コンポーネントを含む：
1.0基板上に堆積された導(dǎo)電層は、動(dòng)作電極基板と対極として、
2.0二層型が動(dòng)作電極と対向電極にそれぞれ変色層を有するエレクトロクロミック層、
3.0電解質(zhì)層、多くは液狀リチウム塩溶液であり、通常はエポキシ樹脂などの接著剤を使用して、電解質(zhì)材料が漏れないようにする。
電気化學(xué)反応において、導(dǎo)電層はエレクトロクロミック材料に補(bǔ)償イオンを提供し、基材と同様に通常良好な光透過性を有する。電解質(zhì)材料は2つの電極間のイオン移動(dòng)を促進(jìn)し、回路の連通を確保する。
