三酸化タングステンは、全固體エレクトロクロミック素子を組み立てるための5層の薄膜構(gòu)造中のEC層として機(jī)能するWO3エレクトロクロミック薄膜を作製することができる。これらのエレクトロクロミック素子は主に省エネ窓の研究や実用に用いられる。
詳細(xì)については、
http://tungsten-oxide.com/japanese/index.html
では、エレクトロクロミック素子の5層薄膜構(gòu)造とは--TC/EC/IC/CE/TC、そのうちTCは透明導(dǎo)電層である透明電極、ECはエレクトロクロミック層、lCはイオン導(dǎo)電層、CEはイオンメモリ層である。CE層は電極上へのイオンの堆積を防ぐことができる。CE層がイオン貯蔵と著色/漂白の二重機(jī)能を有する場(chǎng)合、得られるデバイスは相補(bǔ)エレクトロクロミックデバイスと呼ばれ、このときEC層とCE層は同時(shí)に著色し、同時(shí)に漂白する。相補(bǔ)的エレクトロクロミック素子はスペクトルの変調(diào)幅を広げ、変調(diào)深さを高めた。
