二硫化タングステンは、新しいタイプのグラフェンのような2次元材料であり、電気デバイス、エネルギー、生物學、および複合材料に大きな応用の可能性があります。
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http://tungsten-disulfide.com/japanese/index.html
新しいグラフェンのような2次元材料の研究がますます重要になっているので、WS2の準備も研究ホットスポットです。現(xiàn)在、二次元WS2の作製方法としては、機械的ストリッピング、電気化學的リチウムイオンインターカレーション法、液相ストリッピング法、水熱法、化學気相成長（CVD）法などがあります。その中で、ＣＶＤ法は、高い結(jié)晶品質(zhì)、制御可能なサイズおよび層數(shù)の利點を有する。しかし、現(xiàn)在のところ、CVD法によるWS2の合成に関する研究はまだ少ない。既存のレポートでは、準備された2次元WS2のサイズは數(shù)十から100ミクロンであり、制御された成長の目的を達成できません。したがって、研究者らは二硫化タングステンの合成に関する詳細な研究を続けています。
