CsxWO3の式でCsをドープした酸化タングステンナノ粒子を適用して、斷熱マスターバッチを調(diào)製することができます。また、用意した斷熱マスターバッチを使用して、優(yōu)れた近赤外線シールド特性を備えた斷熱フィルムを製造することができます。その中で、一部の専門家は、ソルボサーマル反応法によってCsをドープした酸化タングステンナノ粒子を調(diào)製し、ソーラーフィルター用途の近赤外シールド性能をさらに向上させたと報(bào)告されています。また、専門家は、CsxWO3の微細(xì)構(gòu)造と近赤外線シールド特性に対する窒素アニーリングの影響についても調(diào)査しました。
詳細(xì)については、以下をご覧ください。
http://cesium-tungsten-bronze.com/japanese/index.html
結(jié)果は、六角形構(gòu)造のナノシート狀のCsドープ酸化タングステンナノ粒子が600°Cを超える溫度でアニールした後、ナノロッドに変化し始めたことを示しています。 CsxWO3粒子の近赤外線シールド特性は、500?700°CでのN2アニーリングによってさらに改善される可能性があります。特に、N2雰囲気で500°CでアニールされたCsxWO3サンプルは、最高の近赤外線シールド特性を示しました。 500°CでアニールされたCsxWO3サンプルの優(yōu)れた近赤外線シールド能力は、その最小O/W原子比およびほとんどの酸素空孔と相関していることが示唆されました。