在半導體技術的浩瀚星空中，每一次微小的進步都可能引發(fā)行業(yè)內的巨大變革。據(jù)了解，三星公司在其第9代V-NAND技術上進行突破性嘗試——引入鉬（Mo）作為金屬布線材料。這一創(chuàng)新不僅預示著NAND閃存層高有望實現(xiàn)30%至40%的進一步縮減，更將顯著降低響應時間。
三星手機圖片
在半導體制造這一精密而復雜的領域中，金屬布線猶如電路中的血脈，將數(shù)十億個電子元器件緊密相連，賦予半導體產品以生命。無論是CPU、GPU還是其他各類芯片，金屬布線都是實現(xiàn)其功能的關鍵環(huán)節(jié)。因此，尋找更加高效、穩(wěn)定的金屬布線材料，一直是半導體行業(yè)不斷探索的課題。
六氟化鎢（WF6）目前是半導體金屬布線的重要材料之一。據(jù)中鎢在線了解，六氟化鎢是一種無色無味的氣體或淺黃色液體，它經過化學氣相沉積工藝后能形成金屬鎢，再將金屬鎢制成二硅化鎢（WSi2），以作為半導體的配線材料。
為了提高半導體的性能，三星此次選擇鉬材料作為金屬布線的革新嘗試，無疑是一次大膽的探索。鉬的高熔點、高密度、良好導電導熱性和化學穩(wěn)定性，使其成為提升NAND閃存性能理想選擇，允許在NAND中堆疊更多層。然而，鉬材料的引入比較困難，它要求生產設備能夠進行耐高溫處理，將固態(tài)鉬原材料加熱至600℃以上，并轉化為氣態(tài)，這與金屬布線廣泛使用的六氟化鎢處理方式截然不同。
鉬元素圖片
據(jù)消息人士稱，三星已從Lam Research公司引入了首批5臺Mo沉積機，并規(guī)劃在明年再增購20臺，以加速其鉬基NAND的生產布局。
供應鏈方面，三星正與多家領先供貨商緊密合作，包括英特格（Entegris）和Air Liquide，以確保穩(wěn)定的鉬源供應。同時，默克等公司也積極響應，向三星提供了鉬材料的樣品，展示了行業(yè)對新技術路徑的廣泛支持與期待。
此外，SK海力士、美光和 鎧俠等公司也紛紛跟進，探索在NAND生產中采用鉬材料的可行性，共同推動半導體材料的革新進程。
據(jù)悉，今年5月，三星已經啟動了首批第九代V-NAND閃存量產，位密度比第八代V-NAND提高了約50%。第九代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了這個新界面，三星還計劃通過擴大對 PCIe 5.0 的支持來鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場的地位。
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