與石墨烯層狀結(jié)構(gòu)相似的二硫化鉬（MoS2）同樣能被剝離成單原子層的二維材料，其在電子器件、催化、光電領(lǐng)域等中具有極大的潛在應(yīng)用價(jià)值。當(dāng)前，常使用化學(xué)氣相沉積法來制備尺寸較大且表面均勻的MoS2，但是襯底上的雜質(zhì)或劃痕等缺陷易限制產(chǎn)品核的生長。因此，下文將為大家介紹一種單層二硫化鉬的新生產(chǎn)方法。其具體步驟如下：
（1）挑選硅片，處理后硅片表面覆蓋了一層二氧化硅，二氧化硅表面拋光，二氧化硅的厚度可以是100-300nm，形成二氧化硅/硅襯底。
（2）用電子分析天平分別稱取一定質(zhì)量的硫粉和三氧化鉬粉末，并放在兩個(gè)石英舟中。
（3）將清洗好的二氧化硅/硅襯底面朝下放在盛有三氧化鉬粉末的石英舟中（在鉬源下游一定距離處），并將其放在管式爐中間的高溫區(qū)；將盛放硫粉的石英舟放在管式爐前部的低溫區(qū)。
（4）加熱前，先通氮?dú)?5-45min，流速為50-500sccm，將管式爐中的空氣排出，之后持續(xù)通入流速為75-150sccm的氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣氛。
（5）開始加熱，15-45min內(nèi)將管式爐加熱到生長所需的溫度，然后保持此溫度40-80min來生長二硫化鉬。
（6）生長結(jié)束后，繼續(xù)通入50-500sccm的氮?dú)?，等待管式爐自然降至室溫。
此外，下文還將介紹一種清洗襯底的方法：（1）襯底先在洗潔精溶液中超聲30-90min；（2）然后在去離子水中超聲5-20min(3次)；（3）最后在酒精中超聲5-20min（3次）；（4）清洗完的襯底保存在酒精溶液中待用；（5）實(shí)驗(yàn)時(shí)取出，用氮?dú)鈿鈽尨蹈珊?，再用氧等離子清洗機(jī)清洗1-5min。
該生產(chǎn)方法的優(yōu)點(diǎn)如下：（1）清洗襯底時(shí)沒有使用丙酮、食人魚溶液等有毒危險(xiǎn)藥品清洗襯底，避免了潛在的危險(xiǎn)；（2）減少了清洗襯底的操作步驟；（3）采用常壓化學(xué)氣相沉積法，不需要抽真空過程，進(jìn)一步減少了操作步驟，使得實(shí)驗(yàn)可以快捷方便地進(jìn)行；（4）簡化了升溫過程，不需要分段升溫。
