密歇根大學(xué)的梁曉甘教授團(tuán)隊(duì)對(duì)多層二硒化鎢（WSe2）晶體管的異常電荷捕獲現(xiàn)象以及記憶特性進(jìn)行的研究表明，由機(jī)械剝離的多層二硒化鎢制成的晶體管中，他們可以激發(fā)出具有大間隔、長(zhǎng)保持時(shí)間和模擬可調(diào)諧性的多重電荷捕獲態(tài)。
二硒化鎢晶體管這種獨(dú)特的電荷捕獲特性主要?dú)w因于多層二硒化鎢切割表面由機(jī)械剝離誘導(dǎo)的層間變形，這些形變可進(jìn)一步自發(fā)形成雙極性的電荷捕獲位點(diǎn)。梁曉甘教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)表面表征、不同溫度下的電荷保持特性測(cè)量以及密度泛函理論計(jì)算等多種方法進(jìn)一步支持該結(jié)論。而在具有類似材料結(jié)構(gòu)的二硫化鉬（MoS2）中，他們卻沒有觀測(cè)到類似的電學(xué)現(xiàn)象。
在二維半導(dǎo)體材料中，相比于石墨烯的零能帶隙，二硫化鉬存在可調(diào)控的能帶隙，因此，在納米晶體管領(lǐng)域擁有很廣闊的應(yīng)用空間；而相比于硅材料的三維體相結(jié)構(gòu)，類石墨烯二硫化鉬具有納米尺度的二維層狀結(jié)構(gòu)，可被用來(lái)制造半導(dǎo)體或規(guī)格更小、能效更高的電子芯片，在能量存儲(chǔ)以及納米電子設(shè)備領(lǐng)域具有廣發(fā)那個(gè)的應(yīng)用空間。
而在梁曉甘教授團(tuán)隊(duì)的研究當(dāng)中還表明，在不同二硒化鎢晶體管中激發(fā)的電荷捕獲態(tài)可以得到統(tǒng)一校準(zhǔn)，作為多位數(shù)據(jù)態(tài)存儲(chǔ)于記憶元器件中。這些研究成果使得對(duì)他們二維半導(dǎo)體材料中的電荷存儲(chǔ)機(jī)制有了更深入的了解，并且進(jìn)一步證明所觀察到的電荷捕獲態(tài)可以用于實(shí)現(xiàn)新型低成本模擬存儲(chǔ)器件技術(shù)。
